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N100V MOSFET：給PD電源安排“低耗抗造”超頂內核~
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 新產品宣告

產品介紹 揚杰科技最新推出了一系列用于PD電源的N100V MOSFET產品，產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
產品特點 1.采用最新優化的SGT工藝, 產品內阻低，開關特性優異；
2.采用PDFN5*6-8L 封裝，適用于PD電源同步整流應用；
3.針對電源應用的各種工作狀態, 優化MOS產品EAS能力，提高產品的可靠性。
規格書

YJG4D6G10H YJG5D2G10H YJG6D3G10H YJG7D4G10H YJG8D0G10H

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